Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8

Немає в наявності
Код товару: SP8K31HZGTB
104,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SP8K31HZGTB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,7нКл
Корпус: SOP8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 3,5А
Струм стоку в імпульсі: 14А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 13Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 4А
Перетворювач: DC/DC; 13Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 4А

1091,61 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
4А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OLP
Connector: wire-board; plug; male; data; Minitek® Pwr 3.0; tinned
Connector: wire-board; plug; male; data; Minitek® Pwr 3.0; tinned

70,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 2,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 2,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; RC; -55÷155°C

2,40 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
6,35x3,1мм
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: шунт; 0,2мОм; SMD; 12Вт; ±1%; -65÷170°C; 2000шт.
Резистор: шунт; 0,2мОм; SMD; 12Вт; ±1%; -65÷170°C; 2000шт.

24,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
2000шт.
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

8,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Запобіжник: плавка; керамічний; PCB,THT; 10÷50А; 750÷800ВDC
Запобіжник: плавка; керамічний; PCB,THT; 10÷50А; 750÷800ВDC

429,55 грн

Вид запобіжника:
керамічний
Матеріал контакту:
сплав міді
Монтаж:
PCB; THT
Номінальна напруга:
750...800В DC
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл