Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 38А; Idm: 213А; 64Вт

Немає в наявності
Код товару: BUK7K13-60EX
81,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK7K13-60EX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 30,1нКл
Корпус: LFPAK33; SOT1210
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 22мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 64Вт
Струм стока: 38А
Струм стоку в імпульсі: 213А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 3÷32ВDC; 50А; 12÷275ВAC; SO7
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 3÷32ВDC; 50А; 12÷275ВAC; SO7

2581,10 грн

Зовнішні розміри:
44,8x59,4x30мм
Модель реле:
1-фазний
Напруга перемикання:
12...275В AC
Напруга управління:
3...32В DC
Connector: PCB to PCB; data; PIN: 40; vertical; 800mA; 100V; 0.8mm
Connector: PCB to PCB; data; PIN: 40; vertical; 800mA; 100V; 0.8mm

104,54 грн

Connector family:
data
Висота:
5,7мм
Висота після з'єднання:
5,7мм
Кількість пін:
40
Недоступний
Кінцевий датчик; NC x2; 2,5А; макс.240ВAC; макс.250ВDC; IP67
Кінцевий датчик; NC x2; 2,5А; макс.240ВAC; макс.250ВDC; IP67

11210,73 грн

Властивості перемикачів:
контакти залежної дії
Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NC x2
Недоступний
Резистор: thick film; 1,87кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 1,87кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO + NC; 0÷60мм; 12÷48ВDC; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO + NC; 0÷60мм; 12÷48ВDC; IP67

15985,19 грн

Дальність:
0...60мм
Зовнішні розміри:
80x80x40мм
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NPN / NO + NC
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

1,36 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл