1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SP8K32HZGTB
114,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SP8K32HZGTB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 7нКл
Корпус: SOP8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 77мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 4,5А
Струм стоку в імпульсі: 18А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 10мкФ; 250ВDC; Ø8x16мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 10мкФ; 250ВDC; Ø8x16мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
16мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: -5ВDC; SIP7
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: -5ВDC; SIP7

226,18 грн

Вихідна напруга:
-5В DC
Вихідна напруга 2:
5В DC
Вихідний струм:
-200мА
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 422Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 422Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 150Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвих: 3,2А
Перетворювач: DC/DC; 150Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвих: 3,2А

6365,31 грн

Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
3,2А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; перегрівання OTP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 1,5мФ; 385ВDC; Ø35x90мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 1,5мФ; 385ВDC; Ø35x90мм

856,56 грн

Висота:
90мм
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1,5мФ
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

3,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C

136,85 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOIC8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,3/1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 50/-60В; 350мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 50/-60В; 350мВт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,95/1,1нКл