Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 40А; DFN5060-8

Немає в наявності
Код товару: PJQ5866A-AU_R2_000A1
34,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJQ5866A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: DFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Струм стока: 40А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Наконечник ключа; 3/4"; 24,5x28мм; Зуби: 30
Наконечник ключа; 3/4"; 24,5x28мм; Зуби: 30

20604,43 грн

Type of wrench accessories:
наконечник ключа
Кількість зубів:
30
Модель:
QuickRelease; з тріскачкою
Розмір гнізда - дюйм:
3/4"
Резистор: thin film; 5кОм; 0603; 63мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 5кОм; 0603; 63мВт; ±1%; -55÷155°C

2,90 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
5кОм
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; VQFN16; I2C,JTAG,SPI; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер MSP430; VQFN16; I2C,JTAG,SPI; 1,8÷3,6ВDC

0,00 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); watchdog
Інтерфейс:
I2C; JTAG; SPI
Кількість каналів PWM:
3
Недоступний
Конденсатор: гибридний; ±20%; 35ВDC; SMD; 120мкФ; -55÷125°C
Конденсатор: гибридний; ±20%; 35ВDC; SMD; 120мкФ; -55÷125°C

Висота:
7,7мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
120мкФ
Недоступний
Реактор: багатошаровий; SMD; 0805; 4,7мкГн; 430мА; R: 0,43Ом; ±20%
Реактор: багатошаровий; SMD; 0805; 4,7мкГн; 430мА; R: 0,43Ом; ±20%

7,67 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5/1,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 8А; 1,3Вт; SO8

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,68А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,68А; 0,9Вт; SuperSOT-6

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,3нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,4А; 2Вт; SO8

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363