Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 49А; Idm: 146А; 22Вт; DFN8

Немає в наявності
Код товару: NTMFD5C672NLT1G
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTMFD5C672NLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12,3нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 11,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 22Вт
Струм стока: 49А
Струм стоку в імпульсі: 146А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 8кБSRAM; Flash: 32кБ; HVQFN33; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 8кБSRAM; Flash: 32кБ; HVQFN33; 1,8÷3,6ВDC

262,29 грн

Вид архітектури:
Cortex M0
Інтерфейс:
I2C; SPI; UART
Кількість входів/виходів:
28
Кількість перетворювачів A/D 10бит:
8
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; PNP; на відбиття з рефлектором
Датчик: фотоелектричний; PNP; на відбиття з рефлектором

10084,27 грн

Властивості датчиків:
Рефлектор замовляється окремо.
Клас герметичності:
IP67; IP69K
Конфігурація виходу:
PNP
Матеріал корпусу:
нержавіюча сталь
Недоступний
Роз’єм: FAKRA; гніздо; гніздовий; SMB; прямий; 50Ом; 6ГГц
Роз’єм: FAKRA; гніздо; гніздовий; SMB; прямий; 50Ом; 6ГГц

0,00 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Просторова орієнтація:
прямий
Робоча температура:
-40...105°C
Роз’єм:
гніздо
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; DPAK; SMD; 100В; 20А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; DPAK; SMD; 100В; 20А; ролик,cтрічка

45,36 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
0,25нФ
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
DPAK
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 15x20AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 15x20AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

174787,97 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA CMG FT4; UL 2464; UL CMG
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 25В; -55÷125°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл