Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 5,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8

Немає в наявності
Код товару: SH8K37GZETB
76,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SH8K37GZETB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,7нКл
Корпус: SOP8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 66мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 5,5А
Струм стоку в імпульсі: 18А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1,25Вт; Uвх: 4,75÷32ВDC; Uвих: 2,5ВDC; SIP3
Перетворювач: DC/DC; 1,25Вт; Uвх: 4,75÷32ВDC; Uвих: 2,5ВDC; SIP3

404,21 грн

Вихідна напруга:
2,5В DC
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
4,75...32В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 28; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 28; SMT; straight

117,84 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
14,2мм
Електричний монтаж:
SMT
Connector: wire-wire; plug; female; data; PIN: 18; polyamide; 3A
Connector: wire-wire; plug; female; data; PIN: 18; polyamide; 3A

15,33 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
18
Недоступний
Мірник: температури; аналоговий,біметалічний; -30÷50°C; A50
Мірник: температури; аналоговий,біметалічний; -30÷50°C; A50

671,57 грн

Вимір:
температури
Властивості вимірювальних приладів:
заднє положення датчика
Діаметр:
80мм
Діапазон вимірювання температури:
-30...50°C
Недоступний
Діод: зенера; 0,2Вт; 20В; SMD; SOD323; одиночний діод
Діод: зенера; 0,2Вт; 20В; SMD; SOD323; одиночний діод

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±6%
Зенерівська напруга:
20В
Недоступний
Резистор: thick film; 7,5Ом; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 7,5Ом; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В

1,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20/15нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
CSP6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/20нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт

8,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,18А
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,5нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт