Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 68А; Idm: 454А; 29Вт; DFN8

Немає в наявності
Код товару: NVMFD5C668NLWFT1G
148,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD5C668NLWFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21,3нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 6,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 29Вт
Струм стока: 68А
Струм стоку в імпульсі: 454А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Конденсатор: електролітичний; THT; 3300мкФ; 25ВDC; Ø16x25мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 3300мкФ; 25ВDC; Ø16x25мм; ±20%

25,34 грн

Висота:
25мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Ємність:
3,3мФ
Недоступний
Адаптер; SMP "папа",з обох сторін; PTFE; 50Ом; берилієва мідь
Адаптер; SMP "папа",з обох сторін; PTFE; 50Ом; берилієва мідь

257,86 грн

Конструкція кабелю/переходу:
SMP "папа"; з обох сторін
Матеріал ізоляції:
PTFE
Матеріал корпусу:
берилієва мідь
Матеріал покриття:
золото
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,25%
Недоступний
Випрямний міст: повністю керований; Urmax: 800В; Ufmax: 1,4В
Випрямний міст: повністю керований; Urmax: 800В; Ufmax: 1,4В

2185,76 грн

Виводи:
конектори
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Електричний монтаж:
конектори FASTON
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Недоступний
Резистор: thick film; 3,65Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 3,65Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,25 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,9/6нКл
Корпус:
DFN3x3A
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68/0,72нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А

791,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD