Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 31А; Idm: 114А; 17Вт; DFN8

Немає в наявності
Код товару: NTMFD6H846NLT1G
115,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTMFD6H846NLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 17Вт
Струм стока: 31А
Струм стоку в імпульсі: 114А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 2,37кОм; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,37кОм; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
2,37кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 162Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 162Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,16 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; THT; 3A; 100V

105,80 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 51,1кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51,1кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; -55÷155°C

3,50 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
5x2,5мм
Корпус - дюйм:
2010
Connector: wire-board; plug; female; data; SR; 700mA; 50V; PIN: 2; 1mm
Connector: wire-board; plug; female; data; SR; 700mA; 50V; PIN: 2; 1mm

10,14 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
IDC
Кількість пін:
2
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 29; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 29; SMT; straight

101,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 47кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 47кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20/15нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
CSP6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/20нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363

18,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN

17,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
DFN
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD