Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; польовий; 30В

Немає в наявності
Код товару: SIZF906DDT-T1-GE3
47,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZF906DDT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAIR® 6x5
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Тип транзистора: N-MOSFET x2 + Schottky
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; UQFN28; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; UQFN28; PIC16

62,72 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x4; CWG; HLT; NCO; PoR; PPS; watchdog; zero cross detect; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
EUSART; I2C; LIN; PPS; RS232; RS485; SPI
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

2,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 37,1В; двоспрямована; DO41; 0,4кВт; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 37,1В; двоспрямована; DO41; 0,4кВт; Ch: 1; -65÷150°C

116,56 грн

Зворотна напруга макс.:
33,3В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 37А; TO247-2; Ufmax: 1,7В
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 37А; TO247-2; Ufmax: 1,7В

564,44 грн

Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
650В
Корпус:
TO247-2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 25В; X8L; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 25В; X8L; ±10%; SMD; 0603

1,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8L
Допуск:
±10%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 25; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 25; THT; straight

24,83 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
11,3мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 8МбFLASH; CFI,parallel; 70нс; VFBGA48; лоток
IC: пам'ять FLASH; 8МбFLASH; CFI,parallel; 70нс; VFBGA48; лоток

144,44 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
CFI; parallel
Корпус:
VFBGA48
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD

34,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
CSP6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8

25,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/20нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363

18,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN

17,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
DFN
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

16,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,8нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт