Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В

Немає в наявності
Код товару: SIZ998DT-T1-GE3
48,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZ998DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 18/44,3нКл
Корпус: PowerPAIR® 3x3
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 10/3,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 20,2/32,9Вт
Струм стока: 20/60А
Струм стоку в імпульсі: 90...130А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2 + Schottky
Провід; MACHFLEX 375YY; 10G0,75мм2; неекранований; 300В,500В; 50м
Провід; MACHFLEX 375YY; 10G0,75мм2; неекранований; 300В,500В; 50м

172,33 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

13,94 грн

Alias:
KGM31MR71H224KU
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Connector: wire-board; socket; female; data; PIN: 8; 1.5A; vertical
Connector: wire-board; socket; female; data; PIN: 8; 1.5A; vertical

45,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
8
Недоступний
Роз’єм: провід-плата; гніздо; штекерний; PIN: 4; 1,27мм; SMT; ERNI
Роз’єм: провід-плата; гніздо; штекерний; PIN: 4; 1,27мм; SMT; ERNI

76,03 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
4
Просторова орієнтація:
горизонтальне
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,5пФ
Провід; UNITRONIC® 100 CY; 10x0,25мм2; ПВХ; сірий; 500В
Провід; UNITRONIC® 100 CY; 10x0,25мм2; ПВХ; сірий; 500В

183,73 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 23А; Idm: 140А; 42Вт; PDFN33
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 23А; Idm: 140А; 42Вт; PDFN33

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
PDFN33
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,9/6нКл
Корпус:
DFN3x3A
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68/0,72нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А

791,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD