Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В

Немає в наявності
Код товару: SIZF916DT-T1-GE3
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZF916DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22/95нКл
Корпус: PowerPAIR® 3x3
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 6,8/1,75мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 26,6/60Вт
Струм стока: 40/60А
Струм стоку в імпульсі: 130...110А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2 + Schottky
Недоступний
Резистор: thick film; 191Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 191Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 220нФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 220нФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 0603

0,51 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
0,22мкФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 10,5кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2ARB
Резистор: thin film; 10,5кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2ARB

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 0÷90мм; IP67; Дл: 2м; Корпус: Ø1
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 0÷90мм; IP67; Дл: 2м; Корпус: Ø1

4436,78 грн

Властивості датчиків:
дальність дії датчика залежить від застосованих аксесуарів
Дальність:
0...90мм
Довжина проводу:
2м
Загальна довжина:
6мм
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M18; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M18; 2м; IP67

2859,86 грн

Дальність:
0...8мм
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
PNP / NO
Недоступний
Колона сигналізації; LED; 24ВDC; 45мм; -20÷50°C
Колона сигналізації; LED; 24ВDC; 45мм; -20÷50°C

11182,86 грн

Джерело світла:
LED
Діаметр:
45мм
Колір:
червоний / жовтий / зелений / блакитний; червоний /жовтогарячий / зелений / блакитний
Напруга живлення:
24В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,49 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 2Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 2Вт

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
24,2/22,8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 9А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 9А; 1,3Вт; SO8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1Вт; DFN6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1Вт; DFN6; ESD

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
DFN6
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,7нКл
Корпус:
SOT563
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,9А; 0,27Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,9А; 0,27Вт

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SC70-6; SOT363