1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 40В; 60А; 65Вт; DFN5x6-8

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 40В; 60А; 65Вт; DFN5x6-8
Немає в наявності
Код товару: G60N04D52
45,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G60N04D52
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 42нКл
Корпус: DFN5x6-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 65Вт
Струм стока: 60А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,39 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; 20000шт.
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; 20000шт.

0,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,55x0,85x0,45мм
Кінцевий датчик; пластиковий ролик; 10А; макс.240ВAC; G 1/2"
Кінцевий датчик; пластиковий ролик; 10А; макс.240ВAC; G 1/2"

1453,37 грн

Вид головки:
пластиковий ролик
Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP67
Макс. струм контактів:
10А
Недоступний
Резистор: thick film; 4,99кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 4,99кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В

0,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Роз’єм: M12; контакт; PIN: 8; промислова; прямий; IP67; паяння
Роз’єм: M12; контакт; PIN: 8; промислова; прямий; IP67; паяння

613,28 грн

Connector family:
промислова
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thick film; 1,21Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,21Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
1,21Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 430кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 430кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; HQ; 200В

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,4нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8,5А; Idm: 56А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8,5А; Idm: 56А; 1,56Вт; ESD

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28А; Idm: 112А; 18,4Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28А; Idm: 112А; 18,4Вт

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8

27,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; TSMT8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 6А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 6А; SOP8

34,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В