Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 20А; 48Вт; DFN5x6-8

Немає в наявності
Код товару: G20N06D52
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G20N06D52
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: DFN5x6-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 48Вт
Струм стока: 20А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 523кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 523кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

2,19 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 120В; SMD; DO213AB,MELF glass; 1мкА
Діод: зенера; 1,25Вт; 120В; SMD; DO213AB,MELF glass; 1мкА

219,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
120В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Недоступний
Резистор: thick film; 715кОм; SMD; 1206; 125мВт; ±1%; HV; 500В
Резистор: thick film; 715кОм; SMD; 1206; 125мВт; ±1%; HV; 500В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 549Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 549Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 6,3x3,2x0,6мм
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 6,3x3,2x0,6мм

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 2,5В; 50мА; SOT23
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 2,5В; 50мА; SOT23

0,00 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,5В
Вихідний струм:
50мА
Недоступний
Резистор: thick film; 12,7кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12,7кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,4нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8,5А; Idm: 56А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8,5А; Idm: 56А; 1,56Вт; ESD

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28А; Idm: 112А; 18,4Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28А; Idm: 112А; 18,4Вт

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8

27,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; TSMT8
Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 6А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 6А; SOP8

34,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В