Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 9А; 2,6Вт; SOP8

Немає в наявності
Код товару: G09N06S2
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G09N06S2
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 47нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,6Вт
Струм стока: 9А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 388Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 388Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

2,92 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 493Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 493Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвих: 1÷32В; 3А; TO220-5; THT; 110кГц
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвих: 1÷32В; 3А; TO220-5; THT; 110кГц

103,27 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вихідна напруга:
1...32В
Вихідний струм:
3А
Корпус:
TO220-5
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603

1,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±1%
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 500мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 500мА

757,10 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
9...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Роз’єм: провід-провід; вилка; гніздовий; MX150; PIN: 12; 3,5мм
Роз’єм: провід-провід; вилка; гніздовий; MX150; PIN: 12; 3,5мм

141,28 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
12
Механічний монтаж:
для проводу
Модель роз’єму:
без контактів
Недоступний
Резистор: metal film; 2Ом; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; -55÷155°C
Резистор: metal film; 2Ом; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; -55÷155°C

2,06 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±1%
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20/15нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
CSP6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/20нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363

18,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN

17,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
DFN
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD