1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 23А; Idm: 70А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 23А; Idm: 70А
Немає в наявності
Код товару: SI7252ADP-T1-GE3
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 6000
Код товару: SI7252ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 26,5нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 22,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 21,6Вт
Струм стока: 23А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 14,7кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 14,7кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Кристал; 26МГц; SMD; 1,6x1,2x0,35мм; 7пФ; Стаб.част: ±20ppm
Кристал; 26МГц; SMD; 1,6x1,2x0,35мм; 7пФ; Стаб.част: ±20ppm

16,22 грн

Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
7пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Недоступний
Роз’єм: D-Sub; PIN: 9; гніздовий; прямий; Покриття: позолочений
Роз’єм: D-Sub; PIN: 9; гніздовий; прямий; Покриття: позолочений

0,00 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
9
Покриття контакту:
позолочений
Просторова орієнтація:
прямий
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0201

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,7пФ
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 3кА; Iвих: 5А; 0,2@max15ВА; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 3кА; Iвих: 5А; 0,2@max15ВА; 50÷60Гц

6943,12 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
3кА
Клас точності:
0,2 @max 15ВА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,8пФ
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Модель:
ESD