1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 29,2А; 29Вт

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 29,2А; 29Вт
Немає в наявності
Код товару: SI7252DP-T1-GE3
53,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7252DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 21мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 29Вт
Струм стока: 29,2А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Провід: динамік; 2x2,5мм2; тросик; CCA; прозорий; неекранований
Провід: динамік; 2x2,5мм2; тросик; CCA; прозорий; неекранований

2778,13 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вміст упаковки:
100м
Резистор: thin film; 21кОм; SMD; 0805; 130мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 21кОм; SMD; 0805; 130мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,25%
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 4,2x4,1x1,9мм
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 4,2x4,1x1,9мм

11,40 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
4,2x4,1x1,9мм
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -64А; Idm: -311А; 38Вт; WDFNW8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -64А; Idm: -311А; 38Вт; WDFNW8

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34,6нКл
Корпус:
WDFNW8
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мкФ; 400ВDC; Ø13x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мкФ; 400ВDC; Ø13x20мм; ±20%

7,35 грн

Висота:
20мм
Діаметр:
13мм
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 17А; 16Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 17А; 16Вт

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 400мА; 280мВт; SOT353; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 400мА; 280мВт; SOT353; ESD

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT353
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 12А; 11,4Вт; Power33
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 12А; 11,4Вт; Power33

107,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
Power33
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSOT25
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; TSOT25

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
TSOT25