Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 150В; 4,1А; Idm: 20А

Немає в наявності
Код товару: SI7956DP-T1-E3
72,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7956DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 0,115Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,5Вт
Струм стока: 4,1А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0603; 180мм

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; THT; 3A; 250V

185,63 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NQ; 200В

0,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,1пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,1пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

2,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1,1пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 51мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CS; -55÷155°C

4,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V

181,83 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Реактор: film; SMD; 01005; 3,8нГн; 180мА; R: 1,3Ом; LQP; 180мм
Реактор: film; SMD; 01005; 3,8нГн; 180мА; R: 1,3Ом; LQP; 180мм

0,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
3,8нГн
Корпус - дюйм:
01005
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А

115,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,6/2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23-6

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 40А; Idm: 160А; 27,8Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 40А; Idm: 160А; 27,8Вт

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 10/-8А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 10/-8А; 3Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/30нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 40/-40В; 1,6Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 40/-40В; 1,6Вт

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252-4
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт