Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 150В; 4,1А; Idm: 20А

Немає в наявності
Код товару: SI7956DP-T1-GE3
76,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7956DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 0,115Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,5Вт
Струм стока: 4,1А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 13,2А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 13,2А

535,99 грн

Alias:
SCDN 3.81/26/90F 3.2SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
18,4мм
Недоступний
Симістор; 400В; 8А; Igt: 50/100мА; TO220ABIns; туба; Ifsm: 80А
Симістор; 400В; 8А; Igt: 50/100мА; TO220ABIns; туба; Ifsm: 80А

21,79 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
TO220ABIns
Недоступний
Резистор: thick film; 1,21Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,21Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
1,21Ом
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 3200А; Iвих: 5А; Клас: 1; Øвнутр: 36мм
Трансформатор: струмовий; Iвх: 3200А; Iвих: 5А; Клас: 1; Øвнутр: 36мм

18119,64 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
EN 61869-2
Вхідний струм:
3,2кА
Діаметр внутрішній:
36мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 100мВт; Uвх: 11÷13,3ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 20мА
Перетворювач: DC/DC; 100мВт; Uвх: 11÷13,3ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 20мА

288,90 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
20мА
Вхідна напруга:
11...13,3В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 111мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 111мА

398,51 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідний струм:
0,111А
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 1,8кОм; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C

0,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,9/6нКл
Корпус:
DFN3x3A
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68/0,72нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А

791,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD