Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 150В; 7,7А; Idm: 10А

Немає в наявності
Код товару: SI7946ADP-T1-GE3
77,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7946ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 256мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19,8Вт
Струм стока: 7,7А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 14,7кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 14,7кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
ИК передавач; 840÷860нм; прозора; 900мВт÷1,3Вт; 90°; 2,8÷3,8ВDC
ИК передавач; 840÷860нм; прозора; 900мВт÷1,3Вт; 90°; 2,8÷3,8ВDC

133,05 грн

Голівка:
опукла
Довжина хвилі λd:
840...860нм
Корпус - мм:
3535
Кут світіння:
90°
Недоступний
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 29,4Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 29,4Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 79,6кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 79,6кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; AS; 200В

2,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

18,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,2нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь

44,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6,6нКл
Корпус:
SOP8
30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений
30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений

25,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6