1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 0,53А; 1,5Вт

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 0,53А; 1,5Вт
Немає в наявності
Код товару: SQ1922AEEH-T1_GE3
8,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQ1922AEEH-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,9нКл
Корпус: SC70-6; SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: 0,53А
Струм стоку в імпульсі: 3,3А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Резистор: thick film; 39мОм; SMD; 1Вт; ±1%; 1,25x0,55мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 39мОм; SMD; 1Вт; ±1%; 1,25x0,55мм; -55÷155°C

13,49 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Монтаж:
SMD
Опір:
39мОм
Недоступний
Резистор: metal film; 768мОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 768мОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

0,57 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Діод: TVS; 120В; 9,5А; двоспрямована; ±5%; Ø5,4x7,5мм; 1,5кВт; 1.5KE
Діод: TVS; 120В; 9,5А; двоспрямована; ±5%; Ø5,4x7,5мм; 1,5кВт; 1.5KE

22,17 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
102В
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8МОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; AS; 400В
Резистор: thick film; 6,8МОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; AS; 400В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 2Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 2Вт

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
24,2/22,8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 9А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 9А; 1,3Вт; SO8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1Вт; DFN6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1Вт; DFN6; ESD

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
DFN6
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,7нКл
Корпус:
SOT563
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,9А; 0,27Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,9А; 0,27Вт

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SC70-6; SOT363