Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 4,5А; Idm: 15А

Немає в наявності
Код товару: SIA906EDJ-T1-GE3
16,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA906EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 63мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,8Вт
Струм стока: 4,5А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 48,7Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 48,7Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IP68; поліамід; чорний; на корпус; Øмонт.отв: 20,3мм; SKINTOP®
IP68; поліамід; чорний; на корпус; Øмонт.отв: 20,3мм; SKINTOP®

104,54 грн

Type of cable gland:
cable
Відповідність стандарту:
UL 514B
Діаметр монтажного отвору:
20,3мм
Зовнішній діаметр проводу:
5...10мм
Недоступний
Допоміжні контакти; гвинтові виводи; фронтальний; CTX3
Допоміжні контакти; гвинтові виводи; фронтальний; CTX3

0,00 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Застосування - серія/виробник:
CTX3
Конфігурація контактів:
NC + NO
Монтаж:
фронтальний
Недоступний
Резистор: дротяний; 910Ом; THT; 60Вт; ±5%; 90x18x20мм; радіальні
Резистор: дротяний; 910Ом; THT; 60Вт; ±5%; 90x18x20мм; радіальні

274,96 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
910Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 240мОм; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 240мОм; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; CS; -55÷155°C

1,76 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
5025
Резистор: thick film; 5,11кОм; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%
Резистор: thick film; 5,11кОм; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Датчик: тиску; 0÷100мбар; зразковий; OUT: аналоговий; Uживл: 3,3ВDC
Датчик: тиску; 0÷100мбар; зразковий; OUT: аналоговий; Uживл: 3,3ВDC

941,46 грн

Властивості датчиків:
силіконове покриття
Діапазон вимірювання тиску:
0...0,1бар
Конфігурація виходу:
аналоговий
Корпус:
DIP
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8

105,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/8,2нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
CSP6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/20нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт

8,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,18А
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,5нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт