Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 24В; 11А; Idm: 40А

Немає в наявності
Код товару: SI8902AEDB-T2-E1
24,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI8902AEDB-T2-E1
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: MICROFOOT®
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 24В
Опір в стані провідності: 37мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5,7Вт
Струм стока: 11А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; SMT; straight

18,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,6мм
Електричний монтаж:
SMT
Вентилятор: DC; 80x80x38мм; осьовий; 24ВDC; 143м3/г; 55,2дБА; 24AWG
Вентилятор: DC; 80x80x38мм; осьовий; 24ВDC; 143м3/г; 55,2дБА; 24AWG

670,30 грн

Виводи:
проводи x2
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0303
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0303

51,95 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 8,76кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 8,76кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 109Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 109Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Варистор: керамічний; THT; 230ВAC; 300ВDC; 360В; 4,5кА; Ø: 11,5мм
Варистор: керамічний; THT; 230ВAC; 300ВDC; 360В; 4,5кА; Ø: 11,5мм

15,84 грн

Висота:
11,5мм
Діаметр:
11,5мм
Монтаж:
THT
Напруга варистора:
360В
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 150А; Iвих: 5А; Øвнутр: 14мм; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 150А; Iвих: 5А; Øвнутр: 14мм; 50÷60Гц

901,55 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
150А
Діаметр внутрішній:
14мм
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

18,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,2нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь

44,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6,6нКл
Корпус:
SOP8
30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений
30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений

25,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6