1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А; Idm: 140А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А; Idm: 140А
Немає в наявності
Код товару: SISF02DN-T1-GE3
109,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISF02DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 56нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -12...16В
Напруга сток-джерело: 25В
Опір в стані провідності: 5,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44,4Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 140А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА

329,45 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Зовнішні розміри:
19,5x9,8x12,5мм
Недоступний
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 1+N; 6кА
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 1+N; 6кА

2274,46 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
1+N
Недоступний
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 400В; If: 40А; F18
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 400В; If: 40А; F18

4137,11 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
F18
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Резистор: thin film; 5,11кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB
Резистор: thin film; 5,11кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB

12,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВAC; SPDT; Iконтактів max: 12А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВAC; SPDT; Iконтактів max: 12А

160,29 грн

Висота:
15,7мм
Зовнішні розміри:
29x15,7x12,7мм
Імпульсний струм:
25А
Кількість пін:
5
Недоступний
Резистор: thin film; 143Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 143Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
LED; зелений; SMD; 0805; 18÷35мкд; 2÷2,4ВDC; 2x1,25x1,1мм; 130°
LED; зелений; SMD; 0805; 18÷35мкд; 2÷2,4ВDC; 2x1,25x1,1мм; 130°

8,24 грн

Голівка:
плоске
Довжина хвилі λd:
571нм
Колір діода LED:
зелений
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 2Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 2Вт

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
24,2/22,8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 9А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 9А; 1,3Вт; SO8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1Вт; DFN6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1Вт; DFN6; ESD

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
DFN6
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,7нКл
Корпус:
SOT563
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,9А; 0,27Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,9А; 0,27Вт

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SC70-6; SOT363