1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 0,61А; Idm: 2А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 0,61А; Idm: 2А
Немає в наявності
Код товару: SI1036X-T1-GE3
27,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI1036X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 2нКл
Корпус: SC89; SOT563
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,22Вт
Струм стока: 0,61А
Струм стоку в імпульсі: 2А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Дисплей: LED; 7-сегментний; 14,22мм; 0,56"; Кільк.зн: 2; зелений
Дисплей: LED; 7-сегментний; 14,22мм; 0,56"; Кільк.зн: 2; зелений

280,66 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
14,22мм, 0,56"
Довжина хвилі λd:
571...577нм
К-ть знаків:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0201; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0201; 180мм

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 33,2кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 33,2кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 5м; 250ВDC; 250ВAC; 4А; Жили: 4; 7000; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 5м; 250ВDC; 250ВAC; 4А; Жили: 4; 7000; PUR

1329,20 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 13кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 13кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

1,75 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 25,5кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 25,5кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В

0,58 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1206; 125мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1206; 125мВт; ±5%; CQ; 200В

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл