Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 150÷400А

Немає в наявності
Код товару: SIZF928DT-T1-GE3
46,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZF928DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAIR® 6x5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -12...16В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Структура напівпровідника: асиметрична
Струм стоку в імпульсі: 150...400А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Радіатор: штампований; U; чорний; L: 37,5мм; W: 50мм; H: 12мм; 8К/Вт
Радіатор: штампований; U; чорний; L: 37,5мм; W: 50мм; H: 12мм; 8К/Вт

0,00 грн

Висота:
12мм
Довжина:
37,5мм
Колір:
чорний
Матеріал:
алюміній
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

1,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,4пФ
Недоступний
Діод: зенера; 2,8В; SMD; DO213AA; 75мкА
Діод: зенера; 2,8В; SMD; DO213AA; 75мкА

317,41 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
2,8В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,6пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 72МГц; UFBGA100; 2÷3,6ВDC; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 72МГц; UFBGA100; 2÷3,6ВDC; -40÷85°C

325,01 грн

Вид архітектури:
Cortex M3
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; watchdog
Інтерфейс:
CAN; I2C x2; SPI x2; USART x3; USB
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; QFN40; PIC16; туба
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; QFN40; PIC16; туба

57,02 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP; CLC; CWG; DIA; FVR; HLT; NCO; PoR; PPS; SAF; watchdog; zero cross detect
Інтерфейс:
ADC; EUSART; ICSP; LIN; MSSP (SPI / I2C); RS232; RS485
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210

75,39 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5А; Idm: 20А; 1,5Вт; SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5А; Idm: 20А; 1,5Вт; SOT23-6

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 45/50А; 26/27,1Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 45/50А; 26/27,1Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,8/15нКл
Корпус:
PDFN5060D-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 12,5А; Idm: 50А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 12,5А; Idm: 50А; 3,1Вт; SOP8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 6,8А; Idm: 44А; 7Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 6,8А; Idm: 44А; 7Вт

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
Half-Bridge Power MOSFET
Заряд затвора:
12нКл
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8

34,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; -12В; -2А; 1Вт; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET x2; -12В; -2А; 1Вт; TUMT6

8,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 27А; HSOP8; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 27А; HSOP8; ESD

44,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,8нКл
Корпус:
HSOP8
Модель:
ESD