Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 45/50А; 26/27,1Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMB042DN03LG2
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMB042DN03LG2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8,8/15нКл
Корпус: PDFN5060D-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 5,5/4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 26/27,1Вт
Структура напівпровідника: асиметрична
Струм стока: 45/50А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷155°C

0,44 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 7,68кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 7,68кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

47,52 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,8В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,8В

47,52 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,8В
Вихідний струм:
0,5А
Недоступний
Резистор: metal film; 27Ом; THT; 1Вт; ±5%; Ø2,6x6,8мм; осьові
Резистор: metal film; 27Ом; THT; 1Вт; ±5%; Ø2,6x6,8мм; осьові

2,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,6мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; 4,7мФ; 100ВDC; Ø36x105мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; 4,7мФ; 100ВDC; Ø36x105мм; ±20%

868,60 грн

Виводи:
болтове
Висота:
105мм
Властивості конденсаторів:
витримують великі струмові навантаження
Діаметр:
36мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 6,3В; X7S; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 6,3В; X7S; ±10%; SMD; 0402

0,90 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Конденсатор: керамічний; 1,2нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 1,2нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0402

3,48 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
1,2нФ
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
CSP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363

18,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN

17,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
DFN
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

16,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
1,8нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт