Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 30/40А

Немає в наявності
Код товару: SIZ340DT-T1-GE3
24,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZ340DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 19/35нКл
Корпус: PowerPAIR® 3x3
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 13,7/7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 16,7/31Вт
Струм стока: 30/40А
Струм стоку в імпульсі: 100...150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Оптрон; THT; Ch: 4; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; DIP16
Оптрон; THT; Ch: 4; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; DIP16

53,22 грн

CTR@If:
225-450%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
6В
Недоступний
Резистор: thick film; 44,2Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 44,2Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SOD123F; SMD; 100В; 1А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SOD123F; SMD; 100В; 1А; ролик,cтрічка

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Діод: TVS; 0,6кВт; 16,7÷18,5В; 24,6А; односпрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 16,7÷18,5В; 24,6А; односпрямована; SMB; SMBJ

12,04 грн

Зворотна напруга макс.:
15В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
16,7...18,5В
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 0402

2,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Роз’єм: BNC; гніздо; гніздовий; коаксіальний; прямий; 50Ом; паяння
Роз’єм: BNC; гніздо; гніздовий; коаксіальний; прямий; 50Ом; паяння

327,55 грн

Connector family:
коаксіальний
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Матеріал ізоляції:
PTFE
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 36Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 36Вт

565,13 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вид корпусу:
239A
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
2,4А
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл