Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 30А; Idm: 100А

Немає в наявності
Код товару: SIZ342DT-T1-GE3
29,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIZ342DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: PowerPAIR® 3x3
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 15,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 16,7Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 630ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 630ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 2220

88,06 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
2220
Резистор: thin film; 619Ом; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 619Ом; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%

1,76 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 1206; 300мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 1206; 300мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

3,22 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 75пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 75пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 2,55Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,55Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,89 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 0805

1,46 грн

Alias:
KAM21BR81H152KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8R
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

18,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,2нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь

44,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6,6нКл
Корпус:
SOP8
30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений
30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений

25,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6