1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,5А; Idm: 30А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,5А; Idm: 30А
Немає в наявності
Код товару: SIA928DJ-T1-GE3
12,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA928DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 33мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,8Вт
Струм стока: 4,5А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 4,15В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 4,15В

5,45 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
4,15В
Вихідний струм:
0,15А
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

839,46 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Роз’єм: круглі; IP67; пригвинчуваний; Контакти: латунь; пластик
Роз’єм: круглі; IP67; пригвинчуваний; Контакти: латунь; пластик

3734,80 грн

Клас герметичності:
IP67
Клас горючості:
UL94V-0
Матеріал контакту:
латунь
Матеріал корпусу:
термопласт, пластик
Недоступний
Резистор: thin film; 442Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 442Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 510кОм; THT; 250мВт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм
Резистор: вуглецевий; 510кОм; THT; 250мВт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм

0,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷36ВDC; Uвих: 1,025÷1,4125ВDC; 45А
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷36ВDC; Uвих: 1,025÷1,4125ВDC; 45А

466,93 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1,025...1,4125В DC
Вихідний струм:
45А
Недоступний
Резистор: thick film; 442Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 442Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Модель:
ESD