1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 7,5А; Idm: 30А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 7,5А; Idm: 30А
Немає в наявності
Код товару: SI4214DDY-T1-GE3
55,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4214DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 19,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 7,5А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 35,7кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 35,7кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Мірник: частоти; на панель; аналоговий,монтажний; 72x72x64мм
Мірник: частоти; на панель; аналоговий,монтажний; 72x72x64мм

5855,94 грн

Вимір:
частоти
Відповідність стандарту:
EN 61000-6-2; EN 61010-1
Властивості шкали:
робоче положення 15°
Клас герметичності:
IP20 з боку роз'ємів; IP52
Connector: D-Sub HD; PIN: 26; plug; male; data transfer; soldering
Connector: D-Sub HD; PIN: 26; plug; male; data transfer; soldering

474,53 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
26
Недоступний
Резистор: thick film; 8,06кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 8,06кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 27,4кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 27,4кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Мірник: опору заземлення; LCD; (2000); 10мОм÷20Ом,200Ом,2кОм
Мірник: опору заземлення; LCD; (2000); 10мОм÷20Ом,200Ом,2кОм

80603,88 грн

Батарея/акумулятор:
акумулятор Nі-MH x1
Вид вжитого дисплея:
LCD
Відповідність стандарту:
EN 61010-2-032; EN 61557
Джерело живлення:
акумулятор Nі-MH x1
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20/15нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
CSP6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/20нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт

8,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,18А
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,5нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт