1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 81А; Idm: 190А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 81А; Idm: 190А
Немає в наявності
Код товару: SISF06DN-T1-GE3
102,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISF06DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 6,95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44,4Вт
Струм стока: 81А
Струм стоку в імпульсі: 190А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 38; THT; angled; 2x19
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 38; THT; angled; 2x19

65,89 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Вилка; PIN: 4; штекерний; 60В; IP67; сплав міді; поліуретан; 15м; PUR
Вилка; PIN: 4; штекерний; 60В; IP67; сплав міді; поліуретан; 15м; PUR

10370,01 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
15м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 44,4÷49,1В; 6,2А; двоспрямована; SMA; P4SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 44,4÷49,1В; 6,2А; двоспрямована; SMA; P4SMAJ

3,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
40В
Корпус:
SMA
Недоступний
Резистор: thick film; 1,5Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,5Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В; -55÷155°C

0,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
2x1,25x0,5мм
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWF; 22нФ; 630ВDC; 12,5x6,2x14мм
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWF; 22нФ; 630ВDC; 12,5x6,2x14мм

12,73 грн

Допуск:
±3%
Ємність:
22нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 142кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 142кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Тиристор: таблетковий; 6,5кВ; Ifмакс: 2,03кА; 1,29кА; Ø120,5/Ø85мм
Тиристор: таблетковий; 6,5кВ; Ifмакс: 2,03кА; 1,29кА; Ø120,5/Ø85мм

288102,23 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
asymmetric IGCT (AS-IGCT); integral control unit
Зворотна напруга макс.:
6,5кВ
Монтаж:
Press-Pack
Розміри корпусу:
Ø120,5/Ø85мм
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

18,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,2нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь

44,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6,6нКл
Корпус:
SOP8
30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений
30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений

25,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6