Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 86А; Idm: 190А

Немає в наявності
Код товару: SISF04DN-T1-GE3
37,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SISF04DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 60нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -12...16В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44,4Вт
Структура напівпровідника: загальний дренаж
Струм стока: 86А
Струм стоку в імпульсі: 190А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 54,9Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 54,9Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

35,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0805; 333мВт; ±1%; SR73; -55÷150°C
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0805; 333мВт; ±1%; SR73; -55÷150°C

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Роз’єм: SMA; гніздо; гніздовий; кутовий; на панель,гайка спереду
Роз’єм: SMA; гніздо; гніздовий; кутовий; на панель,гайка спереду

749,49 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT; паяння
Матеріал ізоляції:
PTFE
Матеріал контакту:
берилієва мідь
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В; -55÷125°C

1,04 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X1,Y2; Cx: 100нФ; Cy: 2,7нФ; 250ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; X1,Y2; Cx: 100нФ; Cy: 2,7нФ; 250ВAC

285,10 грн

Виводи:
проводи
Вид конденсатора:
X1; Y2
Висота:
43мм
Діаметр:
22мм
Недоступний
Резистор: thin film; 3,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 3,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвих: 9ВDC; SIP7; THT; AM1D-Z; ККД: 82%
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвих: 9ВDC; SIP7; THT; AM1D-Z; ККД: 82%

329,45 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
82%
Корпус:
SIP7
Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; польовий; -30В; -5А; 1,6Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; польовий; -30В; -5А; 1,6Вт; SOP8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 500мА; 150мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; 500мА; 150мВт

9,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,5А
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 6А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 6А; 2Вт; SOP8

28,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,9нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 5,5А; TSMT8
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 5,5А; TSMT8

31,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,6нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 250мА; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 250мА; 300мВт

4,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,3Вт
Струм стока:
0,25А
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В