Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 8А; Idm: 30А

Немає в наявності
Код товару: SI4804CDY-T1-GE3
19,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4804CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 23нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 27мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Connector: pin strips; male; data; PIN: 30; THT; Inom: 4A; straight
Connector: pin strips; male; data; PIN: 30; THT; Inom: 4A; straight

69,69 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
3,18мм
Електричний монтаж:
THT
LED; зелений; овальний; 4,7x5,7мм; 7000÷8400мкд; 40/70°; 20мА
LED; зелений; овальний; 4,7x5,7мм; 7000÷8400мкд; 40/70°; 20мА

40,55 грн

Голівка:
опукла
Довжина хвилі λd:
520...530нм
Кількість виводів:
2
Колір діода LED:
зелений
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 160Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 100ppm/°C

2,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
160Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 36кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 36кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: metal film; 33мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; CSN
Резистор: metal film; 33мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; CSN

3,21 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Діод: TVS; 75В; 14,8А; двоспрямована; ±5%; DO201; 1,5кВт; 1.5KE
Діод: TVS; 75В; 14,8А; двоспрямована; ±5%; DO201; 1,5кВт; 1.5KE

25,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
64,1В
Резистор: thin film; 475Ом; SMD; 0603; 62,5мВт,63мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 475Ом; SMD; 0603; 62,5мВт,63мВт; ±0,1%

8,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл