1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 8А; Idm: 32А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 8А; Idm: 32А
Немає в наявності
Код товару: SQJ844AEP-T1_GE3
26,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ844AEP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 48Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 6,45В; односпрямована; DO13; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 1,5кВт; 6,45В; односпрямована; DO13; Ch: 1; ролик,cтрічка

1023,82 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
5,8В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO13
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; V; 13,5x12,5x5,7мм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; V; 13,5x12,5x5,7мм

28,51 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
13,5x12,5x5,7мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,33кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 1,33кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Резистор: thick film; 2,49МОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 2,49МОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

19,64 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 62кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; NS; 75В
Резистор: thick film; 62кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; NS; 75В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

1981,76 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,25А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 2Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 2Вт

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
24,2/22,8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 9А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 9А; 1,3Вт; SO8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1Вт; DFN6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1Вт; DFN6; ESD

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
DFN6
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,7нКл
Корпус:
SOT563
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,9А; 0,27Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,9А; 0,27Вт

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SC70-6; SOT363