Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 15А; Idm: 40А

Немає в наявності
Код товару: SQJ946EP-T1_GE3
19,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ946EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 27Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 18Вт; Iвих: 2А; SIP; THT; 11,5x9x17,5мм; 9В
Перетворювач: DC/DC; 18Вт; Iвих: 2А; SIP; THT; 11,5x9x17,5мм; 9В

Використання:
IT
Вихідна напруга:
9В
Вихідний струм:
2А
Відповідність стандарту:
EN
Недоступний
Резистор: thin film; 7,32Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 7,32Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,79 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 2÷3,6ВDC; SMD; QFN28; PIC24; туба
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 2÷3,6ВDC; SMD; QFN28; PIC24; туба

132,41 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x4; CRC; DMA; HLVD; LCD controller; PoR; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
FIFO; I2C x2; IrDA; JTAG; LIN; PPS; RS232; RS485; SPI; UART x4
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 3A; 100V

160,29 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
LED; УФ; 1200мА; λd: 405нм; 3,5ВDC; SMD; 3,5x3,5x1,8мм
LED; УФ; 1200мА; λd: 405нм; 3,5ВDC; SMD; 3,5x3,5x1,8мм

74,13 грн

Довжина хвилі λd:
405нм
Колір діода LED:
УФ
Монтаж:
SMD
Потужність випромінювання:
1880мВт
Недоступний
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; RK73B-RT; 25В
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; RK73B-RT; 25В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: thick film; 130кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 130кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N/P-MOSFET; 500мА; 150мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; 500мА; 150мВт

9,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,5А
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 6А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 6А; 2Вт; SOP8

28,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,9нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 5,5А; TSMT8
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 5,5А; TSMT8

31,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,6нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 250мА; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 250мА; 300мВт

4,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,3Вт
Струм стока:
0,25А
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6