Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 30А; Idm: 120А

Name: Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 30А; Idm: 120А
Brand: VISHAY
SKU: SQJ912DEP-T1_GE3
Price: 28.51 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SQJ912DEP-T1_GE3

28,51 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SQJ912DEP-T1_GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

40В

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

27Вт

Струм стока:

30А

Струм стоку в імпульсі:

120А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET x2

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; 500мА; 150мВт

9,12 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Потужність розсіювання:
0,15Вт

Струм стока:
0,5А

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 6А; 2Вт; SOP8

28,13 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
2,9нКл

Корпус:
SOP8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 5,5А; TSMT8

31,42 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
7,6нКл

Корпус:
TSMT8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; 250мА; 300мВт

4,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Потужність розсіювання:
0,3Вт

Струм стока:
0,25А

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SuperSOT-6

Бажані

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Заряд затвора:
8,5/2,9нКл

Корпус:
TSOP6