Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 6А; Idm: 10А

Немає в наявності
Код товару: SI5948DU-T1-GE3
23,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI5948DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5нКл
Корпус: ChipFET8
Корпус - дюйм: 1206
Корпус - мм: 3216
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 94мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 39Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 39Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 3,92Ом; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 3,92Ом; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
3,92Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 56Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 56Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 1,87Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; ERJH3QF
Резистор: thick film; 1,87Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; ERJH3QF

3,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 16В; X8L; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 16В; X8L; ±20%; SMD; 1206

6,84 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8L
Допуск:
±20%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 3A; 250V

31,68 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
4,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 2010; 1,5Вт; ±5%; AS; 400В
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 2010; 1,5Вт; ±5%; AS; 400В

3,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,6нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6