Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 6А; Idm: 20А

Немає в наявності
Код товару: SI7216DN-T1-E3
38,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7216DN-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 39мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 20,8Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвх: 60мА; THT
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвх: 60мА; THT

6154,34 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
20А
Вхідна напруга:
48В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,8пФ
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 6,8мкФ; 160ВAC; 250ВDC; 27,5мм; ±10%
Конденсатор: поліестровий; 6,8мкФ; 160ВAC; 250ВDC; 27,5мм; ±10%

98,20 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
конденсатори із збільшеним ресурсом
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 165Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 165Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

8,49 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Роз’єм: M12; PIN: 3; штекерний; промислова; 250В; прямий; IP67,IP68
Роз’єм: M12; PIN: 3; штекерний; промислова; 250В; прямий; IP67,IP68

232,51 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
3
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 26,5ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 26,5ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А

11042,21 грн

Зовнішні розміри:
33,53x10,41x15,24мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
2А
Матеріал контакту:
Ag/Au
Недоступний
Резистор: thin film; 787Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 787Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

18,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,2нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь

44,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6,6нКл
Корпус:
SOP8
30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений
30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений

25,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6