Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 6А; Idm: 24А

Name: Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 6А; Idm: 24А
Brand: VISHAY
SKU: SQS944ENW-T1_GE3
Price: 23.82 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SQS944ENW-T1_GE3

23,82 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SQS944ENW-T1_GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

7,6нКл

Корпус:

PowerPAK® 1212-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

40В

Опір в стані провідності:

25мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

27,8Вт

Струм стока:

6А

Струм стоку в імпульсі:

24А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET x2

Це може вас зацікавити

Бажані

4А; Канал: збагачений; 1Вт

18,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
3,2нКл

Монтаж:
SMD

Потужність розсіювання:
1Вт

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь

44,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
6,6нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений

25,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
15,5нКл

Корпус:
SOP8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SuperSOT-6

Бажані

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Заряд затвора:
8,5/2,9нКл

Корпус:
TSOP6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,05нКл

Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6