1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 60В; 5А; Idm: 32А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 60В; 5А; Idm: 32А
Немає в наявності
Код товару: SI9634DY-T1-GE3
72,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI9634DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 38мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: 5А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; 1м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; 1м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR

668,40 грн

Довжина кабелю:
1м
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 2220

361,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
22нФ
Недоступний
Резистор: metal film; 45,3кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові
Резистор: metal film; 45,3кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові

0,31 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Конденсатор: металізований PPS; SMR; 33нФ; 100ВDC; 63ВAC; THT; ±5%
Конденсатор: металізований PPS; SMR; 33нФ; 100ВDC; 63ВAC; THT; ±5%

20,27 грн

Alias:
F211JF333J100ALG5C
Вид матеріалу:
що самогаситься
Довжина відводів:
16,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Ніж; для різання шкіри,коробка,універсальний
Ніж; для різання шкіри,коробка,універсальний

2880,14 грн

Вид упаковки:
футляр
Властивості кусачок/ножів:
ергономічна рукоятка; сховище для лез
Застосування кусачок/ножів:
для різання шкіри; коробка; універсальний
Обладнання стандартне:
лез IDL-SM92 x3
Роз’єм: клапанний; вилка; промислова; формат А; 18мм; гніздовий
Роз’єм: клапанний; вилка; промислова; формат А; 18мм; гніздовий

859,10 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Відповідність стандарту:
DIN 43650; DIN EN 175301-803
Довжина проводу:
3м
Недоступний
Резистор: thick film; 4,22Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 4,22Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

1,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
4,22Ом
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл