1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x4; польовий; 100В; 6А; Idm: 12А; 17Вт; WDFN12

Транзистор: N-MOSFET x4; польовий; 100В; 6А; Idm: 12А; 17Вт; WDFN12
Немає в наявності
Код товару: FDMQ8403
259,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMQ8403
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5нКл
Корпус: WDFN12
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 191мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 17Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET x4
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; AC; 200В
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; AC; 200В

1,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Connector: wire-board; socket; female; data; PIN: 10; 30V; 1A; THT
Connector: wire-board; socket; female; data; PIN: 10; 30V; 1A; THT

28,07 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
10
Транзистор: N/P-MOSFET; 500мА; 150мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; 500мА; 150мВт

9,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,5А
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 6А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 6А; 2Вт; SOP8

28,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,9нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 5,5А; TSMT8
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 5,5А; TSMT8

31,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,6нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 250мА; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 250мА; 300мВт

4,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,3Вт
Струм стока:
0,25А
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD