Транзистор: N-MOSFET

Немає в наявності
Код товару: BSZ021N04LS6ATMA1
40,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: BSZ021N04LS6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування; 600Вт; 48ВDC; 12,5А
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування; 600Вт; 48ВDC; 12,5А

28552,25 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування
Вихідна напруга:
48В DC
Вихідна напруга 2:
5В DC
Вихідний струм:
12,5А
Резистор: thin film
Резистор: thin film

10,83 грн

Тип резистора:
thin film
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 5мм; PNP; LIGHT-ON; 2м
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 5мм; PNP; LIGHT-ON; 2м

2448,46 грн

Виводи:
проводи
Властивості датчиків:
Т подібний
Дальність:
5мм
Довжина відводів:
2м
Транзистор: N-MOSFET; 179В; 43А
Транзистор: N-MOSFET; 179В; 43А

19124,58 грн

Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
179В
Струм стока:
43А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,5А; 2Вт; PG-TSOP-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,5А; 2Вт; PG-TSOP-6

40,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В