Транзистор: N-MOSFET

Немає в наявності
Код товару: IPB65R310CFDAATMA1
73,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IPB65R310CFDAATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 22; IP67; прямий; затискання; чорний
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 22; IP67; прямий; затискання; чорний

5316,29 грн

Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
22
Клас герметичності:
IP67
Колір:
чорний
Недоступний
Перемикач: поворотний з ключем; 22мм; Фікс.поз: 3; NC + NO; чорний
Перемикач: поворотний з ключем; 22мм; Фікс.поз: 3; NC + NO; чорний

1409,53 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Властивості перемикачів:
ключ, який виймається у крайньому правому положенні
Кількість всіх позицій:
3
Кількість фіксованих позицій:
3
Недоступний
Радіатор: штампований; ребристий; алюмінієвий; L: 200мм; W: 500мм
Радіатор: штампований; ребристий; алюмінієвий; L: 200мм; W: 500мм

0,00 грн

Висота:
84мм
Властивості радіаторів:
hollow fin geometry
Довжина:
0,2м
Колір:
алюмінієвий
Транзистор: N-MOSFET; 179В; 43А
Транзистор: N-MOSFET; 179В; 43А

19124,58 грн

Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
179В
Струм стока:
43А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,5А; 2Вт; PG-TSOP-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,5А; 2Вт; PG-TSOP-6

40,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В