Транзистор: N-MOSFET

Name: Транзистор: N-MOSFET
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IMBG120R090M1HXTMA1
Price: 249.60 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IMBG120R090M1HXTMA1

249,60 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 1000

Крок додавання: 1000

Код товару:

IMBG120R090M1HXTMA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Pliers: specialist

3926,40 грн

Type of pliers:
спеціалізовані

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 179В; 43А

19124,58 грн

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
179В

Струм стока:
43А

Тип транзистора:
N-MOSFET

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,5А; 2Вт; PG-TSOP-6

40,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TSOP-6

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
29,3нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
51нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,64 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO263-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В