1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 100/-100В; 4,5/-4,5А; Idm: 18А

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 100/-100В; 4,5/-4,5А; Idm: 18А
Немає в наявності
Код товару: HP8M51TB1
25,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: HP8M51TB1
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15/26,2нКл
Корпус: HSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100/-100В
Опір в стані провідності: 180/320мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7Вт
Струм стока: 4,5/-4,5А
Струм стоку в імпульсі: 18А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Датчик: індуктивний; OUT: NO; 20мм; M30; Підключення: проводи
Датчик: індуктивний; OUT: NO; 20мм; M30; Підключення: проводи

11013,06 грн

Дальність:
20мм
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Конфігурація виходу:
NO
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; SMT; 1.5A

133,68 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
4,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD

2,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 6А; 45Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 6А; 45Вт; TO251

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 29,8кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 29,8кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4/7нКл
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт

16,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: N/P-MOSFET
Транзистор: N/P-MOSFET

15,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Тип транзистора:
N/P-MOSFET
Транзистор: N/P-MOSFET; 40В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 40В; 20Вт; HSOP8

35,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8