Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 150В; 10А; Idm: 148А; 15Вт

Немає в наявності
Код товару: PJQ4670AP_R2_00201
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJQ4670AP_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: DFN3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 9,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 15Вт
Струм стока: 10А
Струм стоку в імпульсі: 148А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 18÷18,96В; SMD; DO219AC,microSMF
Діод: зенера; 0,5Вт; 18÷18,96В; SMD; DO219AC,microSMF

1,40 грн

Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±3%
Зенерівська напруга:
18...18,96В
Корпус:
DO219AC; microSMF
Недоступний
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

5,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS

35,48 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
буфер; контролер лінії; неінвертуючий
Кількість каналів:
8
Корпус:
SO20
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А

785,61 грн

Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
3; 4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,6нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6