Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 150В; 10А; Idm: 148А; 15Вт

Немає в наявності
Код товару: PJQ4670AP_R2_00201
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJQ4670AP_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: DFN3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 9,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 15Вт
Струм стока: 10А
Струм стоку в імпульсі: 148А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 18÷18,96В; SMD; DO219AC,microSMF
Діод: зенера; 0,5Вт; 18÷18,96В; SMD; DO219AC,microSMF

1,40 грн

Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±3%
Зенерівська напруга:
18...18,96В
Корпус:
DO219AC; microSMF
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,5пФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; 250В
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; 250В

1237,33 грн

Довжина проводу:
7,6м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 8; CMOS; SMD; SO20; AHC; 40мкА; туба
IC: цифровий; тригер D; Ch: 8; CMOS; SMD; SO20; AHC; 40мкА; туба

63,17 грн

Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
8
Корпус:
SO20
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 128кБEEPROM; I2C; 16Кx8бит; TDFN8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 128кБEEPROM; I2C; 16Кx8бит; TDFN8; послідовний

25,79 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
TDFN8
Мірник: мультіметр цифровий; ВAC: 600мВ,6В,60В,600В,1кВ; IP67
Мірник: мультіметр цифровий; ВAC: 600мВ,6В,60В,600В,1кВ; IP67

19351,27 грн

Батарея/акумулятор:
батарея AA 1,5В x3
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вимір:
активної провідності; ємкості; напруги AC; напруги DC; резистансу; струму AC; струму DC; температури; частоти
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Недоступний
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 250В; 30А; Idm: 130А
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 250В; 30А; Idm: 130А

1099,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 4А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 4А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOP8

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 800мА; Idm: 3А; 300мВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 800мА; Idm: 3А; 300мВт; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 340мА; Idm: 1,36А; 200мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 340мА; Idm: 1,36А; 200мВт

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,06нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29Вт

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20,5нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 57А; Idm: 228А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 57А; Idm: 228А; 62,5Вт

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6