1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 3/-2,2А; Idm: 12÷-6А

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 3/-2,2А; Idm: 12÷-6А
Немає в наявності
Код товару: MMFTC6420
18,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Код товару: MMFTC6420
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,3нКл
Корпус: SOT26; SOT457
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,96Вт
Струм стока: 3/-2,2А
Струм стоку в імпульсі: 12...-6А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 0,22мкФ; 630ВDC; 305ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 0,22мкФ; 630ВDC; 305ВAC; THT

8,49 грн

Вид конденсатора:
X2
Вид упаковки:
розсипний
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Резистор: thin film; 3,57кОм; 1206; 400мВт; -55÷155°C; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 3,57кОм; 1206; 400мВт; -55÷155°C; 10ppm/°C

20,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Модель:
ESD
Реактор: керамічний; SMD; 0805; 82нГн; -55÷125°C
Реактор: керамічний; SMD; 0805; 82нГн; -55÷125°C

1,96 грн

Індуктивність:
82нГн
Корпус - дюйм:
0805
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-55...125°C
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 1.5A; 60V

157,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 48; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 48; THT; straight

62,72 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
19,8мм
Електричний монтаж:
THT
Роз’єм: провід-провід; PIN: 16; прямий; затискання
Роз’єм: провід-провід; PIN: 16; прямий; затискання

37,63 грн

Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
16
Просторова орієнтація:
прямий
Тип роз’єму:
провід-провід
Недоступний
Резистор: thin film; 210Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 210Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл