Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт

Немає в наявності
Код товару: HP8MA2TB1
134,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: HP8MA2TB1
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22/25нКл
Корпус: HSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30/-30В
Опір в стані провідності: 16,4/29мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7Вт
Струм стока: 18/-15А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Фільтр: SAW; f: 446МГц; 3x3мм; -40÷85°C; Смуга: 6МГц
Фільтр: SAW; f: 446МГц; 3x3мм; -40÷85°C; Смуга: 6МГц

51,32 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Розміри:
3x3мм
Смуга передачі:
6МГц
Тип фільтра:
SAW
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 4; промислова; 63В; прямий; IP65; push-lock
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 4; промислова; 63В; прямий; IP65; push-lock

2194,00 грн

Connector family:
промислова
Електричний монтаж:
push-lock
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65
Недоступний
Резистор: thick film; 3кОм; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 3кОм; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 200ppm/°C

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 4Mx8битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 4Mx8битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II

0,00 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; 47пФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; 47пФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,42 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
47пФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,3пФ
Блок живлення: імпульсний; LED; 300Вт; 24ВDC; 6,25÷12,5А; IP67
Блок живлення: імпульсний; LED; 300Вт; 24ВDC; 6,25÷12,5А; IP67

3869,11 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
6,25...12,5А
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,6нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6