1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,96Вт

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,96Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDC6327C
65,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDC6327C
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: додаткова пара
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SuperSOT-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 0,13/0,27Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,96Вт
Струм стока: 2,7/-1,9А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 60А; Iвих: 5А; 0,2@max1,5ВА; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 60А; Iвих: 5А; 0,2@max1,5ВА; 50÷60Гц

2437,28 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
60А
Клас точності:
0,2 @max 1,5ВА
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0805

14,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA36

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TFBGA36
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 48МГц; UFQFPN48; 2÷3,6ВDC; STM32F0
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 48МГц; UFQFPN48; 2÷3,6ВDC; STM32F0

120,38 грн

Вид архітектури:
Cortex M0
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; watchdog
Інтерфейс:
HDMI CEC; I2C; SPI x2; USART x2; USB
Недоступний
Резистор: thick film; 13Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 13Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 62кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 62кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,08 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,9/6нКл
Корпус:
DFN3x3A
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68/0,72нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А

791,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,18А; 0,272Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,18А; 0,272Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD