Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,9Вт

Немає в наявності
Код товару: NTGD4167CT1G
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTGD4167CT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: додаткова пара
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30/-30В
Опір в стані провідності: 90/170мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,9Вт
Струм стока: 1,9/-1,4А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; 3PST-NO + SPST-NC; S; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; 3PST-NO + SPST-NC; S; THT

1104,92 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
28x12x10мм
Конфігурація контактів:
3PST-NO + SPST-NC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 360пФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 360пФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 0603

1,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±2%
Недоступний
Роз’єм: automotive; вилка; штекерний; DuraMate AHDP; PIN: 14
Роз’єм: automotive; вилка; штекерний; DuraMate AHDP; PIN: 14

605,04 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
14
Корпус:
розмір 24
Матеріал корпусу:
термопласт
Резистор: thick film; 33Ом; 0805; 660мВт,667мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 33Ом; 0805; 660мВт,667мВт; ±5%; -55÷155°C

1,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 18Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 18Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

2,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 33Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 33Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,67 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; роз'єм живлення; 20А
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; роз'єм живлення; 20А

13,30 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
2
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Модель:
ESD